電話：
郵箱：
北大用ALD研制出15納米碳納米管CMOS器件
- 分類：公司新聞
- 發布時間：2012-10-20
- 訪問量：0
【概要描述】北京大學采用嘉興科民電子公司ALD設備 (TALD-100)成功研制柵長15納米的碳納米管優越性能的CMOS器件。其中關鍵的HfO2高k柵介質是由嘉興科民電子ALD制備，該介質CV曲線沒有迴線，不存在短溝道效應和漏電。
北大用ALD研制出15納米碳納米管CMOS器件
【概要描述】北京大學采用嘉興科民電子公司ALD設備 (TALD-100)成功研制柵長15納米的碳納米管優越性能的CMOS器件。其中關鍵的HfO2高k柵介質是由嘉興科民電子ALD制備，該介質CV曲線沒有迴線，不存在短溝道效應和漏電。
- 分類：公司新聞
- 作者：
- 來源：
- 發布時間：2012-10-20
- 訪問量：0
詳情
北京大學采用嘉興科民電子公司ALD設備 (TALD-100)成功研制柵長15納米的碳納米管優越性能的CMOS器件。其中關鍵的HfO2高k柵介質是由嘉興科民電子ALD制備，該介質CV曲線沒有迴線，不存在短溝道效應和漏電。TALD-100是由美國硅谷專家和中科院專家聯合研發，設備內腔采用SiC高集成設計，前驅體源消耗只是通常的20%，可低溫生長各種高質量薄膜。
掃二維碼用手機看
在線客服
客服熱線
客服組：
科民市場部
客服組：
在線客服
Copyright ? 嘉興科民電子設備技術有限公司 技術聲明 浙ICP備2021000807號-1 網站建設：中企動力 嘉興